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Intel et Micron concluent un nouvel accord sur la fourniture de puces 3D Xpoint: Ao Teng stable

DH 2020-03-23 10:10:50

Compte tenu des perspectives du marché du stockage numérique, Intel et Micron ont créé conjointement IM en 2005 pour développer et produire des puces de mémoire flash NAND, mais les deux sociétés vendent indépendamment leurs propres produits de marque.

Au cours des dernières années, les usines de messagerie instantanée ont développé des puces 3D Xpoint. Sur cette base, Intel a créé la gamme de produits Optane. Avec une vitesse élevée, une durabilité élevée, une latence ultra-faible et d'autres caractéristiques, elle a prospéré sur le marché des entreprises. Elle a même construit Un module de mémoire DDR non volatile.

Cependant, en 2018, Intel et Micron ont conclu un nouvel accord en raison de différences dans les concepts techniques. Micron a investi dans l'acquisition de toutes les actions et les actifs d'Intel dans l'usine IM. Les deux parties se sont séparées sur les puces Xpoint 3D.

Cependant, la seule base de production d'Intel pour les puces NAND est le Fab 68 situé à Dalian.Bien que la production de masse de TLC et QLC soit mature, 3D Xpoint n'est pas encore prêt.

Au cours de cette période de transition, Optane d'Intel ne pouvait pas s'arrêter là, si récemment, Intel et Micron ont publié une annonce conjointe disant qu'un nouvel accord d'approvisionnement avait été signé le 9 mars et qu'il prendrait effet le 6. Le communiqué mentionne que le nouvel accord a modifié les prix et les conditions de puissance. De nombreux analystes pensent que Micron a utilisé cette augmentation de prix pour tuer Intel. Cela semble être un peu comme "les gens doivent baisser la tête sous le toit".

De plus, les analystes estiment également que l'on peut se demander si la gamme de produits 3D Xpoint d'Intel se négocie à perte. Après tout, si elle est particulièrement rentable, pourquoi Micron a-t-il attendu jusqu'à l'année dernière pour proposer le seul produit SSD X100 basé sur Xpoint X? Problèmes techniques et de capacité.